ReRAM是一種以電阻值來記錄數據的非易失性存儲器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年的Mobiveil聯合Crossbar將會推出基于ReRAM技術的SSD，為存儲市場增添新活力。

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在當今存儲的所有數據中，有90%是在過去兩年內生成的。數據生成及對數據的快速訪問已經成為現代用戶體驗不可或缺的一部分，這也將在可預見的未來繼續推動存儲需求的迅猛增長。然而，當目前的平面NAND閃存被一步縮小光學尺寸時，就會達到物理和工程極限。而象Crossbar的ReRAM這樣的下一代非易失性阻變式存儲器，就不會有這些限制，它將可以提供高性能、大容量的新型存儲器。

ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身的新一代存儲技術。換句話說，即便是在電源關閉的情況下存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的計算機將幾乎不再需要載入時間。

一個典型的ReRAM單元具有一個轉換材料，介于具有不同的電阻特性的兩個金屬電極之間。ReRAM的轉換效應基于在電場或熱力影響下的離子的運動以及轉換材料存儲離子的能力，而這反過來又會影響電阻測量的精度。

CrossbarReRAM技術的存儲介質是包裹絕緣性非晶硅（a-Si）的金屬絲。其基于電子場的轉換機制使得Crossbar ReRAM單元能夠在較廣的溫度范圍內穩定工作。

? CrossbarReRAM的單元結構簡單，所采用的材料、工藝步驟和制造工具都是通用的，這使得任何一家半導體代工廠都能夠通過得到Crossbar ReRAM技術授權的方式來開展內存業務，制造存儲級內存芯片。
它的主控開發也異常簡單，現有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地適應ReRAM架構。

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不過Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現有SSD的名，因為它至少短期內不是民用消費級，而是面向商業應用方案，因為目前來看ReRAM SSD雖然性能指標一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣。

所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint閃存硬盤Optane相同，并在積極開發能夠平衡價格與性能的產品，帶動公司的繼續發展。

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原文來自：http://mp.weixin.qq.com/s/vaMxmq0tpwVEe0-Yw6fq3w