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文 | 錦緞

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的系列研究?jī)?nèi)容，本文主要從基礎(chǔ)原理以及發(fā)展歷史入手，對(duì)第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷脈絡(luò)、原因、用途予以還原。同時(shí)就市場(chǎng)對(duì)三代半導(dǎo)體可能存在的一些誤解進(jìn)行糾偏，并就相關(guān)上市公司龍頭進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

具體框架及內(nèi)容如下：

目錄：

（一）半導(dǎo)體、晶體管與芯片

（二）第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷

（三）市場(chǎng)誤解：二代半導(dǎo)體替代一代，三代半導(dǎo)體替代二代？

（四）我國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與龍頭公司

01?半導(dǎo)體、晶體管與芯片

千里之行，始于足下。首先我們來(lái)了解下常說(shuō)的半導(dǎo)體、集成電路、芯片、集成電路到底是什么。

1833年，被譽(yù)為“電學(xué)之父”的英國(guó)物理學(xué)家法拉第，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)硫化銀這種材料的電阻隨著溫度上升而降低，即高溫更有助于導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體特性的首次發(fā)現(xiàn)。此后的五十年里，光生伏特效應(yīng)、整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)也先后被歐洲科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，這就是半導(dǎo)體的四大特性。

具有戲劇性的是，半導(dǎo)體這個(gè)名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用，意指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。

到了今天，半導(dǎo)體發(fā)展已經(jīng)相對(duì)完善，用途主要有集成電路、光電器件、分立器件、傳感器四個(gè)方面。

其中，集成電路包括微處理器、存儲(chǔ)器、邏輯器件、模擬器件等種類，共計(jì)占半導(dǎo)體器件80%?以上的份額，因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等價(jià)。而一種類型集成電路或多種類型集成電路形成的產(chǎn)品，我們將其稱作芯片。

所以，半導(dǎo)體、集成電路、芯片三者的關(guān)系，可總結(jié)為半導(dǎo)體＞集成電路≈芯片，或簡(jiǎn)單看作半導(dǎo)體≈集成電路＝芯片。

而另一個(gè)常聽到的名詞，晶體管，泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。因此，它在半導(dǎo)體與芯片之間起到橋梁搭建的關(guān)鍵作用，由半導(dǎo)體材料制造出了晶體管，由晶體管組成了芯片。

這種作用源于一個(gè)樸素的真理。因?yàn)榫w管具備通過(guò)電信號(hào)來(lái)控制自身開合的能力，這與邏輯的基本構(gòu)成元素是邏輯0和邏輯1不謀而合，即晶體管可用開關(guān)的斷開和閉合來(lái)代表邏輯0和1，最終實(shí)現(xiàn)繁雜廣袤的運(yùn)算和功能，不禁讓人嘖嘖稱奇。

除了自身硬核邏輯外，在現(xiàn)代科技史里，半導(dǎo)體、晶體管、集成電路、芯片的發(fā)展也有著莫名的趣味和緣分。

1947年，前文所說(shuō)的半導(dǎo)體四大特性由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室總結(jié)完成；同年，貝爾實(shí)驗(yàn)室也研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管，實(shí)驗(yàn)室三名人員肖克利、巴丁、布拉頓因此在1956年同時(shí)獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，其中，肖克利更被譽(yù)為“晶體管之父”。

取得此等成就的肖克利，已經(jīng)不滿足于在貝爾實(shí)驗(yàn)室沉寂，且半導(dǎo)體帶來(lái)的巨大商業(yè)變革，他看在眼里，急在心里。

因而，1955年，肖克利回到了自己的家鄉(xiāng)圣塔克拉拉谷，創(chuàng)辦了屬于自己的半導(dǎo)體公司。這條位于舊金山灣區(qū)、坐擁地中海溫潤(rùn)氣候、交通便利的狹長(zhǎng)山谷即是后來(lái)名聲赫赫的“硅谷”。

肖克利帶來(lái)了硅谷的開始，卻沒(méi)能走完它風(fēng)光的全部。

在股票投資和生活中，不難發(fā)現(xiàn)，聰明的人不一定是能辦好企業(yè)的管理人，因?yàn)檫^(guò)于聰明往往會(huì)忽略分享的重要性。肖克利就是這樣一個(gè)獨(dú)掌大權(quán)，搞一言堂的一把手，難以得到眾人的支持，終于暗自沒(méi)落。

僅僅過(guò)了兩年，當(dāng)初追隨他的優(yōu)秀年輕人就有八位憤然離職，并稱“硅谷八叛將”，在謝爾曼·菲爾柴爾德的投資下他們成立了傳奇的仙童半導(dǎo)體公司。仙童發(fā)展神速，發(fā)明了半導(dǎo)體平面工藝和硅集成電路，盈利能力大幅展現(xiàn)，仙童后來(lái)也成為眾多半導(dǎo)體巨頭誕生的“黃埔軍校”。

1968年，硅谷八叛將之首的諾依斯和“摩爾定律”的提出者摩爾離開仙童，創(chuàng)辦了更為風(fēng)光、鼎鼎大名的英特爾。所謂摩爾定律，就是摩爾提出，集成電路芯片上所集成的晶體管數(shù)目，每隔18個(gè)月就翻一倍。

此后，半導(dǎo)體的時(shí)代大幕正式拉開，為人熟知的英特爾、TI、三星、高通、英偉達(dá)等大佬各領(lǐng)風(fēng)騷，國(guó)內(nèi)的紫光、海思、中芯也開始嶄露頭角。

02?第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷

在市場(chǎng)中，第三代半導(dǎo)體已經(jīng)成為投資者關(guān)注的焦點(diǎn)之一，本文希望從戰(zhàn)略發(fā)展的主線看問(wèn)題，因此這一部分將梳理半導(dǎo)體材料的三個(gè)發(fā)展階段，以求有一個(gè)更清晰的脈絡(luò)認(rèn)知。

【1】第一代半導(dǎo)體

第一代半導(dǎo)體是“元素半導(dǎo)體”，鍺（Ge）和硅（Si）是兩個(gè)代表性材料。

在20世紀(jì)50年代，鍺基半導(dǎo)體器件占據(jù)主導(dǎo)地位，主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測(cè)器中，到了60年代，硅基半導(dǎo)體因?yàn)橄鄬?duì)優(yōu)良的耐高溫、抗輻射性能、低廉的價(jià)格和龐大的儲(chǔ)量，逐步取代鍺基，成為主流，延續(xù)至今。目前，全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基礎(chǔ)功能材料而生產(chǎn)出來(lái)的，技術(shù)十分成熟，市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)4000多億美元。

而在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)，硅片也占到35%左右，市場(chǎng)空間約為80億美元。硅片領(lǐng)域日本非常強(qiáng)大，我國(guó)的6英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率約為50%，8英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率僅為10%，12英寸硅片則幾乎完全依賴于進(jìn)口，還有很大國(guó)產(chǎn)替代前景。

總之，以硅為核心的第一代半導(dǎo)體材料，直接促進(jìn)了以芯片為主的微電子產(chǎn)業(yè)飛升，在手機(jī)、電腦、消費(fèi)電子、通信、航空航天、國(guó)防軍工、光伏等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

雖然第一代半導(dǎo)體可以制做復(fù)雜的功耗較低的邏輯芯片，但受限于硅的自身性能，硅基半導(dǎo)體難以在高溫、高頻、高壓等環(huán)境中使用，并且其禁帶寬度、電子遷移率較低，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中遇到瓶頸，由此催生了化合物半導(dǎo)體，即第二代、第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。

【2】第二代半導(dǎo)體

進(jìn)入20世紀(jì)90年代后，如上文所說(shuō)，高頻傳輸和光學(xué)領(lǐng)域的場(chǎng)景對(duì)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度、電子遷移率要求提高，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭腳，其中GaAs技術(shù)最為成熟，應(yīng)用最廣。

GaAs、InP可以制造高速、高頻、大功率的超高速集成電路、高性能微波、毫米波器件、激光器和發(fā)光電子器件，開拓了光纖及移動(dòng)通信的新產(chǎn)業(yè)，廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光纖通信、無(wú)線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星定位、國(guó)防軍工、航空航天等領(lǐng)域。

在5G時(shí)代和物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展下，GaAs的產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)數(shù)百億美元，但全球GaAs半導(dǎo)體制造商市場(chǎng)份額最大的五家企業(yè)為Skyworks、triquint、RFMD、Avago、穏懋，共約占全球總額的65%，大陸企業(yè)仍不具備足夠的競(jìng)爭(zhēng)力。

【3】第三代半導(dǎo)體

來(lái)到21世紀(jì)，現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率電子器件的需求陡增，這對(duì)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、電子飽和速率、熱導(dǎo)率等關(guān)鍵參數(shù)提出了更加嚴(yán)苛的要求。在此情況下，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出，即我們常說(shuō)的第三代半導(dǎo)體。

如我所做上表，所謂的寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于或等于2.3電子伏特的半導(dǎo)體材料。此類半導(dǎo)體還具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)，在功率半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏風(fēng)電、半導(dǎo)體照明、5G基站、特高壓、光電子等領(lǐng)域有不可替代優(yōu)勢(shì)，為世界電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新動(dòng)力。

SiC和GaN作為兩個(gè)最核心的第三代半導(dǎo)體材料，也有著自己獨(dú)特的優(yōu)越性和應(yīng)用前景。

首先看SiC，這是目前綜合性能最好、商品化程度較高、技術(shù)最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料。SiC單晶材料可分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣襯底兩種，在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層制得的SiC外延片，可進(jìn)一步制成功率器件，并應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層制得的SiC基GaN外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)軍工等領(lǐng)域。

SiC材料制成的器件還有減少能源損耗、提高能源轉(zhuǎn)換效率的突出優(yōu)點(diǎn)。

例如，應(yīng)用在新能源汽車領(lǐng)域，可降低能耗20%；應(yīng)用在光伏領(lǐng)域，可降低光電轉(zhuǎn)換損失25%以上；應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，可提高效率20%；應(yīng)用在超高壓直流輸送電和智能電網(wǎng)領(lǐng)域，可使電力損失降低60%，同時(shí)供電效率提高40%以上；

應(yīng)用在家電領(lǐng)域，可節(jié)能50%；應(yīng)用在高鐵領(lǐng)域，可節(jié)能20%以上，并減小電力系統(tǒng)體積；應(yīng)用在工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域，可節(jié)能30%-50%；應(yīng)用在通信領(lǐng)域，可顯著提高信號(hào)的傳輸效率和傳輸安全及穩(wěn)定性；應(yīng)用航空航天領(lǐng)域，可使設(shè)備的損耗減小30%-50%，工作頻率提高3倍，電感電容體積縮小3倍，散熱器重量大幅降低。

其中，新能源汽車是SiC增長(zhǎng)最快、空間最大的應(yīng)用場(chǎng)景。特斯拉在Model 3中使用SiC逆變器能夠提升5-10%的續(xù)航，節(jié)省400-800美元的電池成本，與新增200美元的SiC器件成本抵消后，能夠?qū)崿F(xiàn)至少200美元的單車成本下降，目前全球已有超過(guò)20家汽車廠商開始采用SiC器件。

未來(lái)，在以新能源汽車為第一驅(qū)動(dòng)力的多行業(yè)推動(dòng)下，據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)，SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2018年的4億美金增加到2024年的50億美金，復(fù)合增速約51%。SiC襯底材料市場(chǎng)規(guī)模將從2018年的1.21億美金增長(zhǎng)到2024年的11億美金，復(fù)合增速達(dá)44%。

SiC的市場(chǎng)格局是美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立，我國(guó)廠商與國(guó)際龍頭CREE、Dow Dcorning、Nippon等公司還存在較大差距，道阻且長(zhǎng)。

再看GaN，在GaN單晶襯底上生長(zhǎng)的GaN稱為同質(zhì)外延片，但有熔點(diǎn)高、襯底制作難、位錯(cuò)缺陷密度較高導(dǎo)致良率低等缺點(diǎn)，因而制造成本高、技術(shù)進(jìn)展慢、應(yīng)用領(lǐng)域窄。另一種為異質(zhì)外延片，指GaN生長(zhǎng)在其他襯底材料上，主要包括用于制作功率器件和小功率射頻器件的硅基GaN、用于制作大功率LED、功率器件和大功率射頻芯片的碳化硅基GaN。

可見(jiàn)，GaN器件在通信射頻和光電行業(yè)前景卓越。

通信這方面，GaN器件可以在1-110GHz范圍的高頻波段應(yīng)用，這覆蓋了移動(dòng)通信、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)到點(diǎn)和點(diǎn)到多點(diǎn)微波通信、雷達(dá)應(yīng)用等波段，適合軍事通訊、電子干擾、通信基站、射頻與功率器件等領(lǐng)域；

光電方面，GaN是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，適合電力電子、LED照明、激光等領(lǐng)域，與普通人最相關(guān)的莫過(guò)于GaN快充頭，相同的體積可實(shí)現(xiàn)數(shù)倍功率的對(duì)電腦、手機(jī)充電。

與SiC一樣，第三代半導(dǎo)體GaN下游需求旺盛，身處產(chǎn)業(yè)爆發(fā)時(shí)期，據(jù)Yole測(cè)算，從2018到2024年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從約900萬(wàn)美金飛升到3.5億美金，年復(fù)合增速85%，GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模將從約6億美金增加到約20億美金，年復(fù)合增速21%。

03?市場(chǎng)誤解：二代半導(dǎo)體替代一代，三代半導(dǎo)體替代二代？

通過(guò)上面的變遷史和場(chǎng)景探究，能夠發(fā)現(xiàn)各代半導(dǎo)體各自不同的材料特性決定了它們的差異化應(yīng)用場(chǎng)景，新一代半導(dǎo)體往往隨著市場(chǎng)新增需求崛起，前一代被后一代替代的領(lǐng)域并不多。

所以，第一、二、三代半導(dǎo)體是其實(shí)是技術(shù)互補(bǔ)，而非線性替代關(guān)系。且應(yīng)用場(chǎng)景的變化才是半導(dǎo)體發(fā)展的核心推動(dòng)力，而非技術(shù)創(chuàng)新。

以Si為核心的第一代元素半導(dǎo)體，優(yōu)勢(shì)是儲(chǔ)量大、價(jià)格便宜、功耗也低，適合制造龐大規(guī)模的集成電路，低壓、低頻、中功率的晶體管，應(yīng)用場(chǎng)景主要有手機(jī)、電腦、消費(fèi)電子、通信、航空航天、國(guó)防軍工、光伏等領(lǐng)域。

第一代半導(dǎo)體材料的發(fā)展已經(jīng)十分成熟。硅片占據(jù)著全球95%以上的半導(dǎo)體器件市場(chǎng)和99%以上的集成電路市場(chǎng)，DRAM等存儲(chǔ)芯片、CPU、GPU等邏輯芯片未來(lái)依然是Si的天下，存量極大，增速穩(wěn)定，而且產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)用慣了硅器件，存在路徑依賴的問(wèn)題，所以Si在可預(yù)見(jiàn)的時(shí)間內(nèi)都難以撼動(dòng)。

以GaAs為核心的第二代化合物半導(dǎo)體，優(yōu)勢(shì)是禁帶寬度、電子遷移率較高，光電性能好，適合制造高速、高頻、大功率的超高速集成電路、高性能微波、毫米波器件、激光器和發(fā)光電子器件，應(yīng)用場(chǎng)景主要有衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光纖通信、無(wú)線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星定位、國(guó)防軍工、航空航天等領(lǐng)域。

第二代半導(dǎo)體材料處于蓬勃發(fā)展期，行業(yè)中速發(fā)展，但GaAs、InP比較稀缺，價(jià)格昂貴且略帶毒性，因此天花板不高。

以SiC、GaN為核心的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，優(yōu)勢(shì)是具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率，適合制造高頻、高溫、高壓的大功率器件，應(yīng)用場(chǎng)景主要有功率半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏風(fēng)電、半導(dǎo)體照明、5G基站、充電樁、特高壓、光電子等領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體材料還在起步期，潛力巨大，增速極高。但仍有不如意的地方。一方面，增量空間大，但存量空間小，2020年SiC和GaN器件僅占整個(gè)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的4.2%-4.5%，廠商的銷售渠道需要多探索，存在一定不確定性；

另一方面，第三代半導(dǎo)體的成本很高，SiC器件價(jià)格達(dá)到IGBT的3-5倍，很多行業(yè)不像應(yīng)用于新能源汽車的效果這么好，價(jià)格敏感性也更強(qiáng)，所以還需等待第三代半導(dǎo)體的成本降低，以解鎖更多消費(fèi)場(chǎng)景。

04?我國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與龍頭公司

蒸蒸日上的第三代半導(dǎo)體很顯然會(huì)吸引國(guó)際巨頭的布局和全球資本的關(guān)注。

2016年，英飛凌欲以8.5億美元收購(gòu)CREE旗下專注SiC功率器件及射頻功率解決方案的Wolfspeed而被美國(guó)政府干預(yù)不得；

2018年，英飛凌出手收購(gòu)德國(guó)廠商Siltectra，彌補(bǔ)自身晶體切割工藝，12月，英飛凌又與全球SiC材料龍頭CREE簽署長(zhǎng)期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng)；前不久，英飛凌表示有望在3-5年后把SiC、GaN器件成本降到跟硅基器件相仿的程度。

2019年，在全球碳化硅產(chǎn)能受限的環(huán)境下，意法半導(dǎo)體不僅與CREE簽署價(jià)值2.5億美金的長(zhǎng)單協(xié)議，還收購(gòu)了瑞典SiC晶圓廠商N(yùn)orstel AB，保證自身晶圓供給量，滿足汽車和工業(yè)客戶未來(lái)幾年增長(zhǎng)的MOSFET和二極管需求；今年7月，意法半導(dǎo)體宣布制造出業(yè)界首批8英寸SiC晶圓，合格芯片產(chǎn)量達(dá)到6英寸晶圓的近兩倍。

2019年5月，美國(guó)CREE公司在SiC市場(chǎng)需求持續(xù)高速增長(zhǎng)的情況下，宣布5年內(nèi)將投資10億美元在紐約建造自動(dòng)化生產(chǎn)工廠，以此擴(kuò)大SiC產(chǎn)能，其中4.5億美元用于8英寸量產(chǎn)，到2024年全部完工時(shí)將帶來(lái)SiC材料的30倍產(chǎn)能增長(zhǎng)。

國(guó)內(nèi)的第三代半導(dǎo)體發(fā)展與美歐日存在相當(dāng)明顯的差距，6英寸技術(shù)也才起步未能量產(chǎn)，8英寸則是毫無(wú)頭緒，80%的產(chǎn)品都依賴進(jìn)口，高端人才更是受到多重束縛，流失嚴(yán)重。

卡脖子的關(guān)鍵技術(shù)落伍，產(chǎn)業(yè)鏈不成氣候，情況不容樂(lè)觀。因此，國(guó)家推出一系列政策、規(guī)劃幫助國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體進(jìn)步。

2014年，工信部發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金，重點(diǎn)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)；

2015年，國(guó)務(wù)院發(fā)布的《中國(guó)制造2025》中，提出將集成電路及專用設(shè)備作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動(dòng)突破發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域；

2016年，國(guó)務(wù)院推出了《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃的通知》，首次提到要加快第三代半導(dǎo)體芯片技術(shù)與器件的研發(fā)；

2017年，科技部和交通運(yùn)輸部發(fā)布《“十三五”交通領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》，提出開展IGBT、碳化硅、氮化鎵等電力電子器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品開發(fā)；

2019年，國(guó)務(wù)院在《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》中明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，財(cái)政部及稅務(wù)總局印發(fā)的《關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》中，也針對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和軟件企業(yè)給予所得稅減免；

2020年，再次推出《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，對(duì)于國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；

2021年，國(guó)家開展“強(qiáng)基計(jì)劃”，將“集成電路”設(shè)為一級(jí)學(xué)科，加大對(duì)集成電路基礎(chǔ)人才的培養(yǎng)，各地也出臺(tái)人才扶持政策，設(shè)立專項(xiàng)激勵(lì)政策與引導(dǎo)，加強(qiáng)對(duì)海外高端人才的吸引與保留。

因此，高確定性、高速度發(fā)展的第三代半導(dǎo)體，又搭上國(guó)產(chǎn)替代和國(guó)家支持的快車，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)龍頭公司迎來(lái)難得的機(jī)遇。

1、三安光電

在LED芯片產(chǎn)銷規(guī)模龍頭地位穩(wěn)固基礎(chǔ)上，三安光電旗下子公司三安集成承接化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，布局GaAs、SiC、GaN、光通訊和濾波器五大板塊，主要應(yīng)用在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源、礦機(jī)電源等領(lǐng)域，目前已成為國(guó)內(nèi)稀缺的在第三代半導(dǎo)體方面全產(chǎn)業(yè)鏈布局的領(lǐng)軍龍頭。

2、比亞迪

比亞迪投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC，目前己成功研發(fā)SiC MOSFET，旗下子公司比亞迪半導(dǎo)體是全球首家、國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)SiC三相全橋模塊在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體企業(yè)。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中，實(shí)現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基的全面替代。

3、斯達(dá)半導(dǎo)

國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)IGBT行業(yè)龍頭，擬自建晶圓產(chǎn)線用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片及SiC芯片，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力，SiC模塊產(chǎn)品已用于宇通新能源客車的核心電控系統(tǒng)之中。

4、華潤(rùn)微

華潤(rùn)集團(tuán)旗下的高科技企業(yè)、國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭、中國(guó)本土最大的MOSFET廠商。SiC和GaN研產(chǎn)順利，SiC二極管已實(shí)現(xiàn)小批量供貨，SiC-MOSFET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)入尾聲，其產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備工作正有序推進(jìn)，GaN 6寸和8寸產(chǎn)品同步研發(fā)中。

5、新潔能

國(guó)內(nèi)MOSFET領(lǐng)先企業(yè)，自建IGBT封測(cè)產(chǎn)線，產(chǎn)品已切入寧德時(shí)代、中興通訊、飛利浦等眾多國(guó)內(nèi)外龍頭廠商供應(yīng)鏈，是國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握高端功率器件核心技術(shù)的廠商之一。未來(lái)致力于打造第三代半導(dǎo)體功率器件平臺(tái)。

6、露笑科技

公司依托藍(lán)寶石業(yè)務(wù)積累，研發(fā)SiC長(zhǎng)晶設(shè)備，專注于導(dǎo)電型SiC襯底片和外延片的生產(chǎn)和銷售，目前項(xiàng)目進(jìn)展順利。

7、晶盛機(jī)電

晶盛機(jī)電是半導(dǎo)體材料裝備和LED襯底材料制造的領(lǐng)先企業(yè)，圍繞Si、SiC、藍(lán)寶石開發(fā)出一系列關(guān)鍵設(shè)備，并由設(shè)備端切入半導(dǎo)體材料，公司的SiC長(zhǎng)晶爐已成功生產(chǎn)出6英寸SiC晶體，同時(shí)8英寸SiC晶體生產(chǎn)已在研發(fā)中。

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