原標(biāo)題：長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

在9月19日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會（CFMS）上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。

作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。

DRAM技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀

平爾萱博士在會上表示，我們現(xiàn)在所處的數(shù)據(jù)社會是在IC的支撐下建立起來的，其中馮諾依曼架構(gòu)則是這些數(shù)據(jù)計算的基礎(chǔ)。這個架構(gòu)的一個特點(diǎn)是數(shù)據(jù)存儲在存儲器DRAM中，CPU以一定的規(guī)則獲取存儲器中的數(shù)據(jù)，并進(jìn)行運(yùn)算，然后將結(jié)果通過外圍設(shè)備，比如顯示器呈現(xiàn)出來。

平爾萱博士強(qiáng)調(diào)：“

隨著數(shù)據(jù)量的增加，處理數(shù)據(jù)的能力要加強(qiáng)，因此需要強(qiáng)大的CPU，同時存儲器的數(shù)據(jù)容量也要增強(qiáng)，并且讀寫速度也要增加。因此近來對DRAM的要求也必須持續(xù)提高。DRAM的前景是十分看好?！?/p>

IBS首席執(zhí)行官 Handel Jones日前在上海出席一場技術(shù)論壇時也表示，DRAM將于2020年迎來復(fù)蘇，增長9.87%，這也從側(cè)面印證了平博士的觀點(diǎn)。

平博士在會上介紹道，所謂DRAM，是基于電容存儲電荷為原理的緊密鋪排的陣列。這個陣列通過一系列外圍電路管理從而讀寫里面存儲的數(shù)據(jù)。自上世紀(jì)60年代發(fā)明以來，DRAM容量和尺寸獲得了飛速的發(fā)展。與過往相比，今天，一個面積小于指甲蓋的DRAM里可容納80億存儲單元，按照8個存儲單元存儲一個字母，那就意味著一個芯片可能存8億個字母。并且這些數(shù)據(jù)可以以6Gb/sec 的速度，在幾秒內(nèi)完成讀寫。而在這些改變背后，是DRAM技術(shù)多次“進(jìn)化”的結(jié)果。

從平博士的介紹我們得知，DRAM技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從早期簡單的平面結(jié)構(gòu)，變化成為了向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。這主要與容量的提升需求和制造方法的局限性有關(guān)。

平博士解釋道，早期的DRAM芯片，由于線寬比較大，因此有足夠的平面面積可制造出足夠的電容值。然而隨著線寬的減少，表面積逐漸減少，過往的技術(shù)不能滿足所需電容值，因此DRAM開始走向空間結(jié)構(gòu)，爭取更多的表面積，演變出向上和向下兩種技術(shù)發(fā)展路線，并且共存了接近三十年。而最終以堆疊式架構(gòu)勝出。

“ 造成這個結(jié)局的一個重要原因是溝槽式架構(gòu)面臨幾個技術(shù)難點(diǎn)：其一是溝槽式只限于單面表面積，堆疊式可用雙面表面積，溝槽式架構(gòu)很快就達(dá)到了刻蝕深寬比極限；其二是高介質(zhì)材料的應(yīng)用受到溝槽式中高溫制程的限制。傳統(tǒng)材料SiO ，Al2O3可以在高溫下有低漏電的特性，因此比較適合溝槽式架構(gòu)，但像HfO，ZrO這些高介解常數(shù)材料漏電在高于600℃的溫度下增加許多，不能用于溝槽式架構(gòu)中需高溫處理的三極管制造中?！?/p>

平博士還提到，在DRAM技術(shù)的演進(jìn)過程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢達(dá)提出的埋入式電柵三極管概念也給整個產(chǎn)業(yè)帶來巨大的貢獻(xiàn)。他表示，這個技術(shù)同樣是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越被需要。而近代DRAM產(chǎn)品都沿用這個概念。

“回看堆疊式架構(gòu)的發(fā)展歷史以及展望將來的發(fā)展趨勢就可以發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在DRAM沿用密集排布電容及埋入式字線三極管，乃至今后3-5代DRAM”，平博士說。

DRAM未來的發(fā)展探索

在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時，平博士首先強(qiáng)調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過改進(jìn)，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能，就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個選擇，這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展，滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。

首先在EUV方面，平博士指出，EUV是繼193納米 Immersion Scanner后又一個光刻機(jī)革命。它可滿足工藝精準(zhǔn)度在持續(xù)微縮中不斷增加的要求。而DRAM又是一個十分密集堆疊的設(shè)計，且對信號要求十分嚴(yán)格，任何小的偏離都會對信號造成損失。那就意味著EUV技術(shù)的出現(xiàn)對DRAM技術(shù)的延展有很大的作用：如將線寬進(jìn)一步減少以增加存儲密度。

“EUV主要是針對陣列。但外圍線路的增強(qiáng)及微縮也是近來DRAM技術(shù)發(fā)展的另一個機(jī)會”，平博士補(bǔ)充說。

他表示，在DRAM幾乎一半的外圍線路中，有一半是邏輯線路用的。在過往，這部分的CMOS一直都是用傳統(tǒng)的SiON/Poly Si Gate堆棧的。但這個堆棧在32/28納米階段碰到了瓶頸：一方面是SiON厚度已到極限，不能再薄了；另一方面，Poly Si作為半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電率也不足了，出現(xiàn)了嚴(yán)重的元器件性能不足。如在高端的圖顯DDR中，芯片性能速度明顯不足，這就需要引進(jìn)更先進(jìn)的HKMG CMOS提供更好性能。隨著DDR5的到來，HKMG CMOS的使用會越來越現(xiàn)實(shí)。

“由于DRAM制程中有電容這一段，因此HGMG制程的選擇需與電容制程匹配。所謂的Gate First制程就可被選擇為DRAM邏輯線路CMOS制程”，平博士說。他進(jìn)一步表示，通過引入HKMG，不但可以推動存儲密度進(jìn)一步提高，接口速度也同步獲得了提升。

“為了繼續(xù)發(fā)展DRAM技術(shù)，我們還需要在新材料、新架構(gòu)上進(jìn)行更多探索，并與相關(guān)企業(yè)進(jìn)行合作”，平博士說。他最后指出，回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。返回搜狐，查看更多

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