SK海力士宣布,已經(jīng)成功研發(fā)出新一代DRAM內(nèi)存“HBM2E”,可視為HBM2的增強(qiáng)版,擁有業(yè)界最高的傳輸帶寬,相比現(xiàn)在的HBM2提升了大約50%,同時(shí)容量也翻了一番。
SK海力士的HBM2E每個(gè)針腳傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬,無可比擬。
AMD Radeon VII顯卡曾經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)1TB/s的顯存帶寬,但應(yīng)用了4096-bit的位寬,如果換成HBM2E總帶寬可以輕松超過1.8TB/s。
同時(shí)得益于TSV硅通孔技術(shù),HBM2E內(nèi)存可以最多垂直堆疊八顆16Gb芯片,單顆封裝總?cè)萘恳虼丝蛇_(dá)16GB,是目前的兩倍。
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SK海力士表示,超高帶寬的HBM2E可用于工業(yè)4.0、高端GPU顯卡、超級計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、AI人工智能等各種尖端領(lǐng)域。
而且不同于傳統(tǒng)DRAM必須單獨(dú)封裝、占用主板面積,HBM系列可以與GPU芯片、邏輯芯片等整合封裝在一起,彼此距離可以做到僅僅幾個(gè)微米,大大節(jié)省整體面積,也能保證更快的數(shù)據(jù)傳輸。
哦對了,SK海力士是第一個(gè)搞定HBM的,時(shí)間是2013年。
SK海力士未透露HBM2E何時(shí)量產(chǎn)出貨,看樣子還要等一段時(shí)間。