近期，半導體領域內大事頻發。先是5月26日高通、聯芯、建廣資產宣布在貴州成立合資手機芯片公司瓴盛，強勢進軍手機芯片領域。有高通在手機芯片領域的技術做后盾，加上聯芯的市場支持能力和建廣的資本運作能力，新公司顯然底氣十足。

至此，高通、大唐、建廣和英特爾、展訊、紫光，形成了兩大陣營，都是芯片領域的主力選手，理應各自尋找合適的市場定位，一起把集成電路的蛋糕做大，把企業做強，良性競爭，共享成果。聯想到近期又看到趙“炮轟”另一知名半導體制造企業，可見其管理下的紫光一定面臨著內部和外部的巨大壓力，才使得他屢屢急于發聲，焦慮之情溢于言表。當然，作為一個企業家，在企業面對困難和多方壓力時挺身而出，也是為把企業做好，應當給他多一些理解。

根據財報顯示，2016年大唐電信實現營收72.30億元，同比下降15.96%；凈虧損17.76億元。具體到產品線上，三大主營業務均出現不同幅度的下滑。其中，終端設計毛利率為-2.08%，減少6.47個百分點；軟件與應用毛利率為4.48%，減少10.02個百分點。只有集成電路設計毛利率為19.16%，同比增加7.92個百分點。

聯芯科技與競爭對手高通合作，向中低端芯片市場發起沖擊也在情理之中。2014年之后，聯芯科技的手機芯片業務機基本靠小米維持。與小米成立合資公司后，聯芯科技的業務基本處于停滯狀態，此次與高通合作有望重振其手機芯片業務。

今年3月，繼蘋果、三星、華為之后，小米也加入了自研芯片的行列，推出澎湃S1芯片。從28nm工藝和整體特性來看，這是一款針對入門級智能手機的芯片，對于高通、聯發科而言，中低端芯片市場又多了一個競爭對手。與此同時，IBM日前在日本京都宣布，該公司研究團隊在晶體管的制造上取得了巨大的突破--在一個指甲大小的芯片上，從集成200億個7納米晶體管飛躍到了300億個5納米晶體管。據美國電氣和電子工程師協會(IEEE)《光譜》雜志6日報道，這一出色表現有望挽救瀕臨極限的摩爾定律，使電子元件繼續朝著更小、更經濟的方向發展。目前最先進的晶體管是finFET，以芯片表面投射的載硫硅片翅片狀隆起而命名，這種設計可應用于10納米甚至7納米節點芯片。但是，隨著芯片尺寸越來越小，電流變得愈發難以關閉，即使使用這種先進的三面"門"結構，仍會發生電子泄漏。

眾所周知，東芝目前是全球第二大NAND閃存芯片制造商，該半導體業務的估值至少為180億美元。東芝正急于為NAND閃存芯片業務找到一位買家，以填補美國核電子公司西屋電氣因成本超支產生的數十億美元財務缺口。西屋電氣已經申請破產保護。東芝公司希望在下周公布旗下最重要半導體業務的買家。目前，東芝與西部數據就芯片業務出售產生的爭執似乎正在升級。

可以說，不管是高通、英特爾、聯芯科技、蘋果還是東芝等芯片巨頭們，都在尋找芯片市場一杯羹，企業自主研發芯片也已經成為了一種趨勢，展望2018年，WSTS預測全球半導體產值將續增2.7%、成為3,879億美元。

文章來源：中國傳動網

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